Browsing by Author "張峻賢"
Now showing 1 - 1 of 1
- Results Per Page
- Sort Options
Item L10-FePt奈米線陣列之垂直磁性自旋閥(2011) 張峻賢; Chun-Hsin Chang本研究利用孔洞為50 nm之陽極氧化鋁(AAO)作為模板,再以電化學沉積之方式合成出FePt奈米線陣列。藉由X光繞射儀(XRD)觀察FePt奈米線陣列於700oC與5% H2/N2之環境下進行熱退火時FePt奈米線陣列將從無序相之面心立方晶格fcc轉換為有序L10相,FePt奈米線陣列於有序相L10相其矯頑磁場約為7.5 kOe,利用熱退火之方式,使L10相FePt奈米線陣列至(001)方向之磁化易軸。而L10相FePt奈米線陣列之矯頑磁場遠大於Ni3Fe,故FePt/Cu/Ni3Fe奈米線陣列中之FePt固定層與Ni3Fe自由層之磁性差異性,即形成具功能性之開關元件。藉由此性質合成FePt/Cu/Ni3Fe與FePt/NiO/Ni3Fe多層結構之奈米線,即可觀察巨磁阻(GMR)之現象與垂直式磁性自旋閥效應,而多層L10-FePt奈米線陣列其特性可被應用於一維磁性奈米材料。