Browsing by Author "魏庚生"

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    28 GHz I/Q調變器與單邊帶混頻器設計
    (2022) 魏庚生; Wei, Geng-Sheng
    隨著第五代行動通訊技術的發展，毫米波升降頻收發機扮演著重要的角色，其中發射機需將基頻訊號升頻至毫米波頻段後，再透過相位陣列(Phased Array)天線進行無線傳輸，因此調變器與混頻器成為不可或缺的元件。近年來得益於互補式金氧半導體製程(CMOS)的進步，CMOS具有低功率消耗、低成本及高整合度的優勢，且已經可以與大部分的射頻電路整合在一塊。本論文將使用TSMC 90-nm CMOS RF製程與TSMC 65-nm CMOS RF製程，設計實現28 GHz I/Q調變器與單邊帶混頻器。第一個電路為28 GHz I/Q調變器，以I/Q調變訊號的方式饋入兩顆混頻器來消除鏡像訊號，並透過加入匹配來達成寬頻的鏡像拒斥比。量測與模擬之特性貼近。當電晶體偏壓為0.35 V，LO驅動功率為3 dBm時，頻帶為25~32 GHz，增益範圍為-9.4 ± 0.5 dB，鏡像拒斥比則有-30 dBc，整體晶片佈局面積為730 μm × 700 μm。第二個電路為28 GHz單邊帶混頻器，藉由給予兩顆混頻器正交訊號，將相位差180°的輸出訊號合成後，會達到鏡像抑制之功能。由於LO端匹配電容對於製程變異相當敏感，因此最後實現的單邊帶混頻器有頻飄的狀況。當電晶體偏壓為0.35 V，LO驅動功率為3 dBm時，頻帶為23~28 GHz，增益範圍為-22.5 ± 0.5 dB，鏡像拒斥比則有-30 dBc，整體晶片佈局面積為755 μm × 730 μm。