學位論文

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    次世代電子元件: 鐵電矽鍺元件、氮化鎵、二維材料
    (2018) 王政穎; Wang, Cheng-Ying
    近年來隨著物聯網(IoT)及穿戴式行動裝置的普及，電晶體發展朝向小尺寸、高效能及低功率。我們成功發展出可應用於未來世代的電子元件，如鐵電閘極矽鍺電晶體及其鐵電特性研究、氮化鎵、二維材料。 本研究將分為二硫化鎢(WS2)、氮化鎵、鐵電閘極矽鍺電晶體及其鐵電特性研究，第一部份為探討成長WS2製程方式，如製程溫度、時間、壓力、含氫量等。第二部分為利用AlGaN/GaN HEMT電晶體設計及特性表現元件，為閘極場平板元件，以及鐵電閘極矽鍺電晶體。第三部分為利用HfZrO2於鐵電材料分析及應用。以上元件，目標為降低操作電壓VDD，以降低元件的耗能，達到低功率目的。