學位論文

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20211

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Author: search.filters.author.彭頎泰

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    全無機鈣鈦礦光偵測器之製作與應用
    (2021) 彭頎泰; Peng, Qi-Tai
    全無機鈣鈦礦具有優異的光吸收、高載子遷移率與優異光響應等優點，本實驗在室溫下合成CsPbBr3鈣鈦礦作為光偵測器(Photon detector, PD)之吸光層與電阻式記憶體(Resistive random access memory, RRAM)之絕緣層，並以簡易之結構Ag/PMMA/CsPbBr3/ITO作為配置，為避免陰極與陽極直接接觸，將PMMA溶液覆蓋在CsPbBr3上方，除了避免上下電極直接接觸之外，並填補CsPbBr3晶粒與晶粒間之空缺，降低晶界間的缺陷，使鈣鈦礦當作偵測器之吸收層時，增加照光後載子的收集效率，作為記憶體，可減少頂部 (Ag) 和底部 (ITO) 電極之間漏電路徑之形成。本實驗利用ITO(氧化銦錫)串聯相同結構之元件，在頂部(Ag)電極施加正偏壓時，可作為記憶體。若施加負偏壓時，作為光偵測器。通過改變偏壓與照光條件探討光偵測器產生之光電流的變化，進而達到記憶體以低電壓驅動之目的。