學位論文
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Item 具垂直異向性之一維磁性多層奈米線與磁性穿隧接面奈米元件(2011) 陳柏源; Po Yuan Chen具垂直磁異向性之奈米材料於發展下一代磁紀錄媒體與磁電阻式隨機存取記憶體扮演極重要的腳色。結合電化學電沉積技術與具奈米孔洞之氧化鋁模板可達成大量製造、低成本與高密度之目標。本研究所製備之鈷與鎳鐵合金之奈米線被證實具備垂直磁異向性且可透過磁晶異向性與形狀異向性來調整。結合具垂直磁異向性之鎳鐵合金奈米線與鈷鐵硼薄膜之磁性穿隧接面元件已成功被製造與探討。於低溫10K的環境下，鈷鐵硼薄膜厚度為1.5奈米時，其磁阻為104%，而鈷鐵硼薄膜厚度為1.0奈米時，其磁阻為110%，且在鈷鐵硼薄膜厚度小於1.0奈米時，於無固定層的條件下元件呈現出自旋閥的特性。Item 多層膜磁性奈米線之製備及其特性分析(2007) 陳柏源奈米材料為原子與分子之組合，且針對尺度於1~100 nm材料之製造技術與性質研究。新穎之多層磁性奈米線結構，可藉由控制其形貌與磁性金屬之選擇，進而可得不同之磁與電阻特性，故此多層奈米線結構除學術上具高度之研究價值，更於下ㄧ代垂直式記錄媒體有無限之發展空間。 本研究藉由電化學電鍍於多孔性氧化鋁膜裡沉積磁性多層奈米線，並藉由電化學循環伏安分析法（cyclicvoltametry analysis；CV）分析電鍍液之還原電位，以掃瞄式電子顯微鏡（scanning electron microscope；SEM）鑑定多孔性氧化鋁膜之表面型態；藉由X光粉末繞射儀（powder X-ray diffractometer；XRD）鑑定材料之純度、晶體結構；藉由穿透式電子顯微鏡（transmission electron microscope；TEM）、掃瞄式電子顯微鏡（scanning electron microscope；SEM）與能量散佈X光光譜儀（energy dispersive X-ray spectrometer；EDS）鑑定多層磁性奈米金屬線之精確結構、成分與成長型態；並以振動樣品磁力儀（vibrating sample magnetometer；VSM）鑑定材料之磁滯曲線與角形比，並透過磁阻量測用以觀測磁阻與膜厚之關係。本研究開發孔徑為17 nm與80 nm或形貌為圓形與橢圓形不同孔洞數目之氧化鋁模版以期適用於不同用途之元件，於氧化鋁模板小於100 nm直徑之孔洞內，以電化學方式成長鈷/銅與鎳鐵/銅之奈米線，鈷/銅奈米線隨著磁性層之深寬比增加其磁易軸由垂直方向往水平方向偏移，相反地，鎳鐵/銅奈米線隨著磁性層之深寬比增加其磁易軸由水平方向往垂直方向偏移。藉由調控pH值以控制磁性層之晶格結構，當pH值為2時，其鈷為fcc組成，當pH值為3.5時，其鈷為fcc與hcp以相同比例組成，而造成其磁性質有明顯之變化為其hcp結構破壞其對稱性所造成。成長具自旋閥結構之奈米線[Co(40 nm) /Cu(4 nm) / Co(40 nm)]。其於室溫下具巨磁阻率23.4%。本研究結果將可應用於未來之磁感測元件。