學位論文
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Item 鐵電負電容效應之奈米片環繞式電晶體(2018) 古翔升; Gu, Siang-Sheng鰭式電晶體廣泛應用在許多3C產品中，例如：手機iPhoneA9處理器、電腦IC晶片……等，而在未來製程節點中，改善次臨界擺幅SS(Subthreshold Swing)降低元件之操作電壓與功率極為重要，本論文藉由導入HfZrO2鐵電材料當作電晶體的介電層，應用鐵電材料之負電容效應改善次臨界擺幅(SS)。 近期IBM團隊提出奈米片結構電晶體(Nanosheet FET)，有別於鰭式電晶體，奈米片電晶體是參考Gate-All-Around(GAA)電晶體結構， Si通道設計成水平的結構，可有效解決鰭式電晶體鰭高的製程瓶頸，並廣泛應用在各大領域中，例如:人工智慧(AI)、虛擬實境(VR)……等，本論文是以鐵電材料HfZrO2作為介電層，應用於奈米片電晶體中，達到俱有鐵電負電容效應之奈米片電晶體，其中黃光製程部分皆使用I-line步進機，可以提高生產效率。