學位論文

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    鐵電電容式記憶體增強開關比之技術
    (2024) 陳家弘; Chen, Jia-Hong
    鐵電記憶體（Ferroelectric Memory）是一種基於鐵電材料特性的非揮發性記憶體技術。鐵電材料具有自發極化的特性，即在沒有外加電場的情況下，材料內部會形成電偶極，並且這種極化可以被外加電場反轉，當施加一個電場時，鐵電材料內部的電偶極會隨電場方向翻轉，形成兩種穩定狀態，分別代表二進制的「1」和「0」，這種特性使得鐵電材料成為儲存訊號的理想材料。而鐵電電容式記憶體（Ferroelectric Capacitive Memory，FCM）包含在其中。此次研究首次展示具有SOI（Silicon-On-Insulator）基板和雙層HfZrO2（Double HZO，DHZO）的鐵電電容式記憶體其電容的開關比（Capacitive on/off Ratio，CHCS/CLCS）超過500倍。這一比率是FCM中的關鍵參數，表示記憶體可靠的儲存和檢索數據的能力。由於SOI在垂直方向上的空間限制，使得調控的空乏區域能夠在橫向方向上擴張以減少CLCS；此外，由於DHZO中高正交相（orthorhombic phase，o-phase）的比例，進一步增強CHCS，實現基於低電壓的飽和電容。對於DHZO-SOI FCM，實驗展示卓越的非破壞性讀取操作（Nondestructive Read Operation，NDRO），元件和讀取方案的操作週期均大於109次，並且在多階操作的4種狀態相比單層HfZrO2（Single HZO，SHZO）-SOI顯示錯誤率（Error Rates，ER）的改善。此技術包括DHZO和SOI的FCM是一個有前途的概念，具有潛在的非揮發性記憶體（Non-Volatile Memory，NVM）應用。
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    絕緣矽上多凹式微環形共振光緩衝器之研究
    (2008) 張憲裕; Hsion-Yu Chang
    本文為將光學微環形被動式元件改良並應用在光緩衝器其為未來發展之趨勢。我們將光學波導結合改良式多凹微環形共振腔並建置在SOI矽晶片上，此研究與模擬利用有效差分時域演算法進行模擬與設計。利用多凹式微環形光緩衝器的幾何結構所創造出的折角和較長的路徑，能夠有效的將光延遲在其緩衝器中並且應用於通訊上。我們設計三種不同形狀的光緩衝器分別為:酢醬草形、幸運草形和拼圖形。這些結構都是以傳統的環形共振腔為基礎並加以改良。除此之外，光的延遲時間是我們研究的一大重點，故在每一章中，我們模擬新型態模型與傳統環形模型並比較其光緩衝時間。