學位論文

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    透明導電膜氧化鋅摻雜鋁之成長與應用於矽薄膜太陽能電池之研究
    (2013) 鄭僑人; Jheng,Ciao-Ren
    本論文是利用射頻磁控共濺鍍(Co-Sputtering)系統製備p-type矽薄膜,利用不同功率的鋁靶和非晶矽靶同時濺鍍於玻璃基板上達到摻雜的目的之後進行熱退火,系統地分析及量測p-type矽薄膜之電性,進而探討應用於n-type silicon wafer 太陽能電池元件後的光學特性與電性分析。 並研究AZO(Al 1%)靶材濺鍍於玻璃基板上,在不同的退火溫度其薄膜的電性分析、光學特性,得到一ρ=8.5 x 10-4Ω-cm、μ=24 cm2/V•s、 n=3.1x1020 1/cm3、可見光部分穿透率 84% 的AZO薄膜,最後製備於太陽能電池元件之可行性,最終在Al/p-Si/n-Si wafer 結構上獲得一開路電壓為0.59V,光電流為0.07 mA/cm2 ,轉換效率為0.02% 的太陽能光伏元件。
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    在N型矽基板以鋁誘發多晶矽薄膜以及ZnO:Al(AZO)抗反射層之太陽能電池研究
    (2015) 吳旭展; Wu, Hsu-Chan
    本論文是利用射頻磁控濺鍍系統,分別濺鍍鋁、矽薄膜,經由熱退火方式,使鋁誘發矽形成p型多晶矽,於本質矽基板之上利用不同退火時間進而達到摻雜的目的;並及量測及分析p-type矽薄膜之電性。進而探討應用於n型矽基板上,製備成太陽能電池元件後並量測光電轉換特性。 並研究ZnO:Al (AZO)薄膜濺鍍於塑膠基板上,在不同的薄膜厚度量測其薄膜的電特性及光特性,得到一ρ=4 x 10-4Ω-cm、μ=21 cm2/V·s、 n=6.4 x1020 1/cm3、可見光部分穿透率 75% 等特性於1100 nm之ZnO:Al (AZO)薄膜。 最後分別使用AZO薄膜以及鋁製備於電極部分進行太陽能電池光電轉換量測,最終我們在Al/p-Si/n-Si wafer/Al 結構上獲得一開路電壓為0.41V,光電流為0.38 mA/cm2 ,轉換效率為0.1% 的太陽能光伏元件。