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Subject: search.filters.subject.Resistive random access memory

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    全無機鈣鈦礦光偵測器之製作與應用
    (2021) 彭頎泰; Peng, Qi-Tai
    全無機鈣鈦礦具有優異的光吸收、高載子遷移率與優異光響應等優點，本實驗在室溫下合成CsPbBr3鈣鈦礦作為光偵測器(Photon detector, PD)之吸光層與電阻式記憶體(Resistive random access memory, RRAM)之絕緣層，並以簡易之結構Ag/PMMA/CsPbBr3/ITO作為配置，為避免陰極與陽極直接接觸，將PMMA溶液覆蓋在CsPbBr3上方，除了避免上下電極直接接觸之外，並填補CsPbBr3晶粒與晶粒間之空缺，降低晶界間的缺陷，使鈣鈦礦當作偵測器之吸收層時，增加照光後載子的收集效率，作為記憶體，可減少頂部 (Ag) 和底部 (ITO) 電極之間漏電路徑之形成。本實驗利用ITO(氧化銦錫)串聯相同結構之元件，在頂部(Ag)電極施加正偏壓時，可作為記憶體。若施加負偏壓時，作為光偵測器。通過改變偏壓與照光條件探討光偵測器產生之光電流的變化，進而達到記憶體以低電壓驅動之目的。
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    整合式多功無機鈣鈦礦發光電化學元件與電阻式記憶體製作與應用
    (2020) 劉康翔; Liu, Kang-Hsiang
    全無機鈣鈦礦材料因其卓越的功能性和穩定性而被認為是各種電子應用的優異半導體材料。本論文使用全無機鈣鈦礦量子點 (CsPbBr3) 並選用四層簡易的結構 (Ag/Poly(methyl methacrylate) /CsPbBr3/indium tin oxide) 來達到同時具備發光電化學元件 (Light-emitting electrochemical cell, LEC) 元件發光特性與電阻式記憶體 (Resistive random access memory, RRAM) 記憶特性的新元件。當 Ag 電極上施加負偏壓時，會以 LEC 發光特性作用；若在 Ag 電極上施加正偏壓時，則會以 RRAM 電阻轉換特性作用。 接著對此元件以氧化銦錫做兩個串連，整合出兩個視為一組的新元件，當施加正偏壓時，一側做記憶體寫入另一側做二極體發光；若施加負偏壓時，兩個元件作交換原本做記憶體寫入的元件轉成二極體發光，二極體發光轉成記憶體寫入，來達到比原本傳統電阻式記憶體以電流判讀多一種發光特性去判讀記憶體的方式。最後分析串連後元件的傳導機制與能階示意圖。
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    整合全無機鈣鈦礦電阻式記憶體與光激發電池於光電積體電路之應用
    (2019) 許峯陽; Syu, Fong-Yang
    本文研究常溫合成全無機鈣鈦礦CsPbBr3之鈣鈦礦光學材料特性與半導體記憶特性，用於發光與記憶體元件之應用。利用無機鈣鈦礦具有優良半導體的特性，我們以無機鈣鈦礦CsPbBr3製程薄膜元件，有發光與記憶之元件的效果。我們利用常溫合成無機鈣鈦礦的特性，並以X光繞射儀(XRD)、光激發螢光光譜(PL)、電子顯微鏡(SEM)用以鑑定材料之特性，最後製程多層結構鈣鈦礦元件。藉由微光顯影以提升元件特性，製作出匹配光激發電池(LEC)與可變電阻式記憶體(RRAM)的結合。通過觀察的I-V曲線，元件表現出設定電壓為5 V，復位電壓為-5 V，由此了解RRAM可以通過減緩缺陷累積來促進元件耐久性的優化。此外元件上的LEC在設定電壓為5 V發光，因此元件再同時間兼具RRAM與LEC的特性。