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Subject: search.filters.subject.transfer matrix method

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    一維矽基半導體光子晶體光子能帶結構之研究
    (2014) 李岳勳; Li Yue Syun
    本論文的目的是要研究一維矽基半導體光子晶體的光子能帶結構特性。我們藉由轉移矩陣法(TMM)來計算結構的頻譜圖，論文有二個主題: 主題一是研究矽基半導體光子晶體的光子能隙，利用air/(AB)^N/air的結構， A = n-Si、B = air、N=stack number，由於半導體的介電係數可隨載子濃度而改變，所以我們可以藉由調變濃度、n-Si和air的厚度調變光子能隙或位移；另外改變濃度及厚度，可以使部份方向性能隙的寬度及所能達到的角度增加。 主題二則是研究矽基半導體光子晶體的透射特性，利用air/((AB)^N)(A)/air 的結構來研究透射波峰，A = n-Si、B = SiO2，調變層數N會與所產生的透射峰數相等，調變n-Si和SiO2可以使透射峰藍移，調變角度可以使透射峰紅移，若調變偏振TE、TM波則影響較小，綜合以上特性，設計可調式多通道的濾波器。
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    石墨烯層狀結構光學性質之研究
    (2017) 鄧詔允; Teng, Shao-Yun
    此篇論文主要以轉移矩陣法(Transfer Matrix Method, TMM)來模擬石墨烯層狀結構在THz下的光學性質。 在第一個主題中，我們將由TMM來模擬Si和SiO2所形成的光子晶體在THz下不同入射角度的光子能隙的變化。 在第二個主題中，我們將單層的石墨烯參雜在由Si和SiO2所形成的光子晶體的不同位置中，並藉由改變石墨烯的化學勢以及電磁波在TE和TM的不同入射角度，來探導其對光子能隙的變化。 在第三個主題，則是將石墨烯放在每一層的Si和SiO2中，同樣改變石墨烯的化學勢以及電磁波在TE和TM的不同的入射角度，來探導其對光子能隙的變化。在低頻的範圍與出現了第一個主題中的沒有出現的截止頻率，在不同角度的TE波變化趨勢也與前三種結構的變化略有不同。
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    本質與外質電漿光子晶體光學性質之研究
    (2015) 李祥均; Lee, Hsiang-Chun
    本論文探討以電漿做為介質的光子晶體相關結構光學性質，主要以轉移矩陣法(Transfer matrix method, TMM)做計算及模擬，論文分三個主題。 主題一討論電磁波於電漿結構中利用表面電漿共振(Surface Polariton Resonance, SPR)的傳輸情形，電漿結構原本因入射電磁波頻率低於電漿頻率而產生屏蔽效應，然而利用表面共振的特性得以進行傳輸，接著探討結構變化對表面電漿共振的影響。 主題二討論可調式外質電漿光子晶體，利用外部電磁場的改變來實現不同的光學性質及缺陷模，其特色在於能在不改變結構的前提下完成各式調變。 主題三利用介電質-電漿光子晶體設計多通道濾波器，探討結構變化對濾波特性的改變，接著討論結構的光子能隙及調變方法。