教師著作
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Item 奈米級結構陣列製作技術應用於高效能電池元件之研製(2008-10-24) 楊啟榮本計劃提出結合自組裝奈米球微影(self-assembednanospherelithography,SANL)以及光輔助電化學蝕刻(photo-assistedelectrochemicaletching,PAECE)兩項技術，在矽晶片表面製作高深寬比的奈米孔洞陣列結構，並用於降低矽晶片的反射效率。實驗結果顯示SANSL能於矽晶片上定義出完整排列的陣列圖形。所完成的奈米級孔洞陣列結構，其蝕刻深度約為6.2μm，直徑約為90nm，即孔洞的深寬比可達約68:1。調變蝕刻電壓可以使奈米級孔洞陣列，轉變成奈米柱狀陣列結構，而當使用2V的蝕刻電壓時，能夠產生高度1μm，直徑為100nm，深寬比為10:1的奈米柱狀陣列。矽晶片表面經過粗化(texture)處理後可降低晶片表面的反射率，以增加矽質太陽能電池的發電效率。在200nm-890nm波長範圍內矽晶片的平均加權反射率為40.2%。未經過SANSL而只經過5分鐘的PAECE蝕刻後，加權平均反射效率降低為5.16%；然而，經過SANSL以及5分鐘的PAECE蝕刻後，加權平均反射效率可降低為1.73%。此外，當奈米級孔洞陣列結構表面再鍍上200Å的siliconnitride後，加權平均反射率可更進一步降低為0.878%。本論文所提出的新型製程技術，除具有低成本優勢外，所完成的奈米級孔洞陣列結構更可實際應用於單晶矽太陽能電池之抗反射結構。