理學院

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學院概況

理學院設有數學系、物理學系、化學系、生命科學系、地球科學系、資訊工程學系6個系(均含學士、碩士及博士課程),及科學教育研究所、環境教育研究所、光電科技研究所及海洋環境科技就所4個獨立研究所,另設有生物多樣性國際研究生博士學位學程。全學院專任教師約180人,陣容十分堅強,無論師資、學術長現、社會貢獻與影響力均居全國之首。

特色

理學院位在國立臺灣師範大學分部校區內,座落於臺北市公館,佔地約10公頃,是個小而美的校園,內含國際會議廳、圖書館、實驗室、天文臺等完善設施。

理學院創院已逾六十年,在此堅固基礎上,理學院不僅在基礎科學上有豐碩的表現,更在臺灣許多研究中獨占鰲頭,曾孕育出五位中研院院士。近年來,更致力於跨領域研究,並在應用科技上加強與業界合作,院內教師每年均取得多項專利,所開發之商品廣泛應用於醫、藥、化妝品、食品加工業、農業、環保、資訊、教育產業及日常生活中。

在科學教育研究上,臺灣師大理學院之排名更高居世界第一,此外更有獨步全臺的科學教育中心,該中心就中學科學課程、科學教與學等方面從事研究與推廣服務;是全國人力最充足,設備最完善,具有良好服務品質的中心。

在理學院紮實、多元的研究基礎下,學生可依其性向、興趣做出寬廣之選擇,無論對其未來進入學術研究領域、教育界或工業界工作,均是絕佳選擇。

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    鈷鐵硼銅薄膜的磁光柯爾效應及鐵磁共振研究鈷鐵硼銅薄膜的磁光柯爾效應及鐵磁共振研究
    (2012) 陳均達; Jyun-Da Chen
    在二氧化矽(SiO2)的基板上,以磁控式共濺鍍(Co-Sputtering)成長20nm及30nm (Co40Fe40B20)1-xCux薄膜,其x分別是0、15、25、35及50。柯爾磁光效應(Magnetic Optical Kerr Effect, MOKE)對樣品做不同角度的量測可得知磁異向性;當參雜Cu比例增時CoFeBCu薄膜的表面磁異向性從二重對稱(2-fold symmetry) 過渡到各向同性。以原子力顯微鏡(Atomic Force Microscopy, AFM)量測樣品表貌,發現隨著參雜金屬Cu增加時,樣品從柱狀排列變均勻分布的顆粒排列,印証了磁異向性的變化。樣品的矯頑力(coercivity)也隨著金屬Cu成分增加而變小;從0.052(Oe)下降至約為0(Oe)。從鐵磁共振(Ferromagnetic Resonance, FMR)分析結果顯示樣品的磁異向性係數Ku(anisotropy constant),隨著參雜金屬Cu成分增加從7.33 (J/m3)下滑至3.33(J/m3),吉爾伯特阻尼係數α(Gilbert damping constant)則隨著Cu成分增加從0.05上升至0.18。
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    基於網路分析儀之鐵磁共振儀的建製及磁性多層膜高頻共振性質研究
    (2010) 賴韋辰; Wei-Chen Lai
    Ruderman-Kittel-Kasuya-Yoshida (RKKY) 等磁層耦合現象在巨磁阻效應(GMR)之中扮演了重要的角色,而這個現象的發現奠定了近代自旋電子學的發展。當系統的自由能己知,用來描述自旋電子動力學的Landau-Lifshitz-Gilbert方程可得到許多關於此系統的訊息。例如:耦合系數﹑阻尼系數﹑鬆弛時間,晶格場以及磁異向係數等等。了解這些係數,不但可以幫助我們探究其原理更可以獲得操控自旋電子,發展自旋電子技術更多的靈感。 鐵磁共振技術在量測這些參數上,是強而有力的工具。 為了研究 Py/Ru/Py 磁性三層膜,我們使用了向量網路分析儀建製了一套鐵磁共振儀。由於向量網路分析儀的特性以及在 X-band下高Q值的共振腔,不需使用傳統鐵磁共振儀的調變相鎖放大技巧來獲得高敏感度。可以直接量測鐵磁共振吸收利用數值方法得到吸收的微分。若需要作別的微波波段的量測,也只需更換共振腔,不需改變硬體配置。 為了成長所需樣品,我們建造了一套具有四支磁控濺鍍槍的超高真空濺鍍系統。此系統具有穩定而低的鍍率,是故樣品的膜厚可達到原子的尺度。我們也翻新了一台振動樣品磁量儀用以量測樣品的飽和磁化,這個性質我們無法藉由鐵磁共振的結果來獲得。 我們備製了一系列的 Py20nm/Rut/Py20nm 樣品 t 的範圍從0.4nm 到 3nm。角度解析的鐵磁共振資料顯示了三層膜的RKKY磁層耦合現象,耦合常數隨著膜厚成振盪的變化。這樣的結果也可以由磁阻量測以及振動樣品磁量儀的結果獲得印證。
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    PLD製作Py(100)/Cu(100)/H-Si(100)薄膜與其磁性行為研究
    (2014) 趙晉鴻; Cing-Hung CHAO
    利用脈衝雷射沉積(Pulsed laser deposition, PLD)法在室溫下製作厚度5nm至100nm之銅與鎳鐵 (Ni80% Fe20%, Py)薄膜於H-Si(100)基板上,Cu(100)為了降低晶格失配度從33.3 %降為5.7 %,故旋轉45度使Cu[100]平形H-Si[110]進行磊晶,樣品經X光繞射實驗確定單晶Cu(100)結構生成。FCC-Py(100)因與FCC-Cu(100)間的晶格失配度為1.7%,因此Py(100)可穩定地磊晶於Cu(100)上。藉由X光ϕ-scan的量測也證實基板與薄膜間的晶向關係為Si [110]//Cu[010]//Py[010]。而[Py/Cu]10的多層膜樣品在X光繞射實驗上發現具有超晶格結構。 在磁性量測上,由LMOKE發現樣品具有單軸磁異向性,並且易磁化軸與難磁化軸分別平行於Py[010]與Py[100],單軸磁異向性可能是由於晶格失配度產生應變,破壞FCC-Py的四重對稱所造成。從這次的研究結果發現,樣品的矯頑場隨著Py厚度的增加從1.7Oe增加到3.0Oe。其他的磁性參數由FMR量測結果經計算得出,阻尼常數當Py厚度為10nm時,有最小值 1.25×〖10〗^(-2),之後分別因為渦電流效應與晶格失配度導致阻尼常數隨著Py薄膜厚度的增加或減少皆為上升。