光電工程研究所

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本所於民國91年成立碩士班，94年成立博士班。本所成立之宗旨及教育目標在於培育符合社會所需的光電科技專業人才，本所發展目標在於實現學界對於國內產業的關懷與參與之願景，並朝向「產業知識化、知識產業化」的發展趨勢與需求邁進。近年來，本校已轉型為綜合研究型大學，依據校務整體發展計畫與本所發展策略規劃之需求，將能提供本所未來發展之參考與願景。

本所研究方向 ：
一、光電材料與元件模組
二、奈米生醫及醫學影像

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20091

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Author: search.filters.author.Wei-Hung LiuSubject: search.filters.subject.次臨界擺幅

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    記憶體之3D立體控制單元與高介電常數之矽鍺電晶體
    (2009) 劉韋宏; Wei-Hung Liu
    電子產品朝向輕薄短小、高效能發展已成趨勢，高度的系統整合將無可避免；具體積小、整合度高、耗電量低、成本低等特性的立體堆疊晶片（3D IC）將成趨勢。 第二章節的目的在單晶片矽上利用連續成長製程完成適用於 3D 記憶體之switch技術評估與試製，並輔以 TCAD 模擬配合，以利於最佳化設計。在製程驗證方面，目前垂直型多晶矽 p-n diode switch 完成驗證的電性表現，如理想因子 (ideal factor) η約1.2~1.9，電流密度(J)在1.8V時約1.5x102 A/cm2，且 on/off ratio 也達到 ~107 ，已可供記憶體switch使用。 而為能適用於雙極性記憶體 (如RRAM) 的使用，則因其寫入及抹除屬不同極性，故需發展雙向型控制單元，類似雙極性載子電晶體 (BJT) 之n/p/n或p/n/p結構，第三章節考慮採用n/p/n接面之雙極性二極體 ( bi-directional diode )。 第四章研究架方向為氮化鈦 (TiN) 金屬閘極搭配 HfSiOx介電層在不同晶格方向 (crystal orientation) 之N型場效電晶體 (FET) 元件之製作。並以臨界電壓 (threshold voltage, VT) 、次臨界擺幅 (subthreshold swing, S.S.) 、飽和電流 (saturation current, IDsat) 、漏電流 (leakage current) 等作為元件特性評估之依據。