光電工程研究所

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本所於民國91年成立碩士班，94年成立博士班。本所成立之宗旨及教育目標在於培育符合社會所需的光電科技專業人才，本所發展目標在於實現學界對於國內產業的關懷與參與之願景，並朝向「產業知識化、知識產業化」的發展趨勢與需求邁進。近年來，本校已轉型為綜合研究型大學，依據校務整體發展計畫與本所發展策略規劃之需求，將能提供本所未來發展之參考與願景。

本所研究方向：
一、光電材料與元件模組
二、奈米生醫及醫學影像

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穿隧式低溫多晶矽薄膜電晶體研製與應用
(2009) 翁偲傑; Weng, Ssu-Chieh
利用band to band tunneling的觀念，試著驗證可將subthreshold swing小於60 mV/dec.。側向多晶矽的p/i/n結構不只是光二極體，也可以是穿隧式薄膜電晶體在未來的應用上。而我們去驗證水平低溫多晶矽薄膜電晶體並且檢驗元件的可靠度(Reliability)。實驗中得知，穿隧電流隨溫度的變化可以加以證明，確實是band to band tunneling效應的影響；再與一般薄膜電晶體比較可靠度也是相對的好。最後，用垂直式(vertical)不同的結構去驗證是否也有穿隧效應，並且用TCAD-ISE去模擬驗證其結果。目前為止，穿隧式薄膜電晶體仍有些需要被解決的問題。此論文目的就是透過元件製程與電性分析及元件模擬的各項參數來實踐獲得高效能的穿隧式薄膜電晶體。由於穿隧式薄膜電晶體可如傳統式薄膜電晶體用於邏輯電路上，所以穿隧式薄膜電晶體替代在低功率行動裝置上的應用是一個前瞻性的元件。