光電工程研究所

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本所於民國91年成立碩士班,94年成立博士班。本所成立之宗旨及教育目標在於培育符合社會所需的光電科技專業人才,本所發展目標在於實現學界對於國內產業的關懷與參與之願景,並朝向「產業知識化、知識產業化」的發展趨勢與需求邁進。近年來,本校已轉型為綜合研究型大學,依據校務整體發展計畫與本所發展策略規劃之需求,將能提供本所未來發展之參考與願景。

本所研究方向 :
一、光電材料與元件模組
二、奈米生醫及醫學影像

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    對光子晶體中光子能隙調變之各種方法之研究
    (2012) 李俊明; Chun-Ming Lee
    光子晶體是由二或三種以上不同折射率材料週期排列而成的一種結構,在此結構中,某些頻段的電磁波將無法傳遞,這些頻段即為所謂的光子能隙。光子能隙的頻率範圍會受某些條件的改變而影響,例如入射光角度、不同的材料(折射率)或者週期結構的排列方式等。本文中將以幾種不同的數學形式來改變光子晶體結構的排列方式,並觀察其結果的光子能隙增益情形,藉由比較各種方式獲得對光子能隙調變的經驗。
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    金屬及介電質光子晶體若干性質之研究
    (2012) 陳偉立
    研究及探討光子晶體在可見光,UV光 IR光之穿透現象
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    單負材料光子晶體光學性質之研究
    (2011) 吳聲志; Sheng-Chih Wu
    In this thesis, we shall study the optical properties for the one-dimensional photonic crystals (PCs) containing the single-negative (SNG) materials. Three main topics are involved. In the first part, we consider a PC that has a period of ENG-MNG bilayer, where ENG means the epsilon-negative material and MNG is the mu-negative material. We investigate the photonic stop band and passband structure based on the transfer matrix method. In the second part, we study the optical properties for a SNG Fibonacci PC. With this quasi-periodic structure, we show that the photonic band structure is strongly dependent on the number of Fibonacci sequence. The third topic is to study the transmission properties in a defective SNG. The resonant tunneling spectrum will be investigated in the symmetric and asymmetric structure. The defect modes are closely related to the thickness of the SNG layer in addition to the thickness of the defect layer.
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    一維半導體及介電質光子晶體若干問題之研究
    (2011) 林煥淳; Huan-Chuen LIN
    In the past two decades, a fluid of research on the photonic crystals (PCs) has been triggered. PCs are artificially periodic structures and they possess come photonic band gaps (PBGs) where electromagnetic waves cannot propagate when the frequencies of waves are falling the PBGs. The study of basic structure of PBG can provide much important information that could be useful in the applications of PCs. In this thesis, we have studied three topics on the PBGs of specific PCs. The first one is to study the photonic band structure in a semiconductor-organic PC operating at UV frequency. The UV PBG structure has been investigated as a function of the loss, angle of incidence in TE and TM polarizations. The PBG can be enhanced by a ternary PC where metallic layer is sandwiched by the semiconductor and organic layers. The second part is to study the resonant tunneling under the condition where the evanescent waves are present. This tunneling phenomenon is seen a dielectric-dielectric PC. The results show that such a PC can be used to design a multichanneled filter, which could be of technical use in the optical electronics. The third part is to study the omnidirectional properties in a semiconductor-dielectric PC containing the thermally sensitive semiconductor InSb. Since the permittivity of InSb is a strong function of temperature, tunable photonic band structure will be investigated in this work.
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    含多缺陷光子晶體光學性質之研究
    (2014) 林琦
    Abstract In this thesis, we shall study the optical properties for the one-dimensional photonic crystals (PCs) containing defects. Two main topics are involved. In the first part, we consider binary defective PCs in the symmetric or asymmetric structures. We investigate the photonic transmission based on the transfer matrix method. The multiple filtering properties can be found in a cascading structure. In the second part, we analyze the transmission properties in a one-dimensional photonic crystal containing twin defects. With the existence of twin defects, a defect mode, i.e., a transmission peak is produced within the photonic band gap in the defect-free photonic crystal. The shape of transmission peak can be controlled by the stack numbers between the twin defects. The dependence of transmission peak on the incident angle is also investigated for both the transverse electric (TE) and the transverse magnetic (TM) waves. The peak becomes narrower as the angle increases in TE wave, whereas it is broadened as a function of the incident angle in TM wave. Discussion on the omnidirectional property in the peak is also given. Keywords:photonic crystals (PCs), dielectric superlattice, defective PC
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    一維三元金屬介電質光子晶體頻帶增寬之研究
    (2010) 鍾耀賢; Yao-Hsien Chung
    光子晶體是由兩個或是多個不同折射率物質的人造週期性介質堆疊,光子晶體存在著光子能隙,光子能隙廣泛應用在光子晶體元件上,在這篇論文我們首先探討一維三元光子晶體能隙增寬,其中每一個週期是由兩個介電質夾著金屬層的三元結構,我們將要討論兩個主題,首先探討增加金屬層會強烈地擴大光子晶體能隙,相較於沒有添加金屬層的光子晶體(介電質-介電質-光子晶體) 接著我們探討有效電漿頻率在三元結構中,我們發現有效電漿頻率隨著金屬層厚度的增大而增加,以上所有的分析是依據Abeles theory,這是個在處理多層介質系統中簡練確切的方法。
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    一維光子晶體缺陷模態分析
    (2010) 王政輝; Z.-H. Wang
      在此篇論文中,涵蓋了三個主題。第一是研究缺陷模態垂直入射到對稱和反對稱多層窄頻濾波器的簡單例子。藉由轉換矩陣的方式來計算出波長和透射率關係圖。在反對稱濾波器,只有一個缺陷模態存在光子能隙中缺陷模態的位置隨著設計波長而改變。在對稱結構的濾波器,發現到會有兩個缺陷模態。使用Bloch waveapproximation 方法,這兩個缺陷模態分別是缺陷層在對稱和反對稱結構中場的解答。第二主題是延伸第一主題的相同結構但改變入射傾斜角。藉由對TE 和TM 波計算波長和透射率關係做缺陷模態的研究。缺陷模態和入射角的關係也被圖解之。此外,也觀察到缺陷層的厚度也會影響缺陷模態的數目。第三部份是研究在一維超導光子晶體中角度,厚度和光子能帶結構的關係。這是研究permittivity 為0 超導材料的臨界頻率。能帶結構可視為由兩個超導和介電材料所組成的厚度解析方程。在角度和能帶關係中,在TM 偏振,會存在一個強大局部疊置能帶近似於臨界頻率。當角度增加所顯示出的能帶也會增強。
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    半導體光子晶體光學性質溫度效應之研究
    (2013) 潘俊宏
    這篇論文有五個章節。第一個章節是介紹光子晶體的基本性質與歷史,第二章節是敘述我們計算光子晶體多層膜結構的理論及方法。第三章節我們要探討一維光子晶體SDPC使用的材料為矽及二氧化矽,在原結構下,SDPC的光子能隙隨著溫度增加而向右偏移,而在第二個結構中,我們參雜入SiO2,光子能隙與缺陷模態都隨著溫度向右偏移,第三個結構中,我們參雜入InSb,光子能隙與缺陷模態都隨著溫度向右偏移,再改變InSb的參雜濃度N’,發現,當參雜濃度N’上升時,產生缺陷模態時的波長有微量減少的趨勢。第四章節我們要探討一維光子晶體MSPC使用的材料為鋁及InSb,在原結構下,顯示第三章中SDPC溫度效應在金屬加入後顯得非常不明顯,再以不同入射角的TE波(S波)與TM波(P波)入射,發現TE波(S波)受入射角影響較TM波(P波)稍大,最後在第五章節是我們的結論。
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    一維三元金屬介電質光子晶體溫度效應之研究
    (2010) 莊翼宇; Yi-Yu Chuang
    光子晶體是兩個或兩個以上不同折射率的物質光學週期性層所組成,光子晶體的基本特性是存在著一些禁帶,在禁帶中電磁波是被禁止傳遞在整個結構。這個禁帶叫做光子能隙。 在此篇論文中,我們首先討論光子能隙的拓寬在三元金屬介電質光子晶體,可以得知光子晶體明顯的增寬是因為金屬層的存在。 在第二部分我們探討溫度對光子能隙所造成的效應,考慮熱膨脹造成厚度變化,不同溫度會使結構厚度變化,因此造成能隙邊緣將會偏移, 監控能帶邊緣偏移的行為將會觀察到溫度造成的影響。在使用光子晶體設計溫度相依的感測器上溫度效應的研究提供一些有用的資訊。 理論上分析在第二章會提到使用TMM法,第一章是在簡短介紹光子晶體,主要的主題被安插在第三章跟第四章,第五章是結論。
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    全方向性光子晶體反射頻譜之計算
    (2010) 徐保桔; Bao-Jie Syu
    光子晶體是一種由兩種不同折率介質交互排列所形成的週期性結構人工介質,而光子晶體最主要的特徵是電磁波在某些頻段範圍不能被傳播出去,而這段範圍稱做光子帶隙(簡稱PBG)。 在本篇論文我們首先研究三元金屬介電質光子晶體的全方向性光子帶隙,我們發現光子帶隙會被明顯的增大當我們把金屬層夾在兩個介電質層之間當作一個單一周期的三元光子晶體,而我們是根據轉移矩陣法和Drude模型來計算分析我們的理論結果。 接下來我們研究三元金屬介電質光子晶體的有效電漿頻率,我們發現他的有效電漿頻率會隨著金屬層厚度的改變而有明顯的變動,當金屬層厚度增加,有效電漿頻率會往較短波長的方向移動,而我們的分析是經由Bloch定理而得來的。