光電工程研究所

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本所於民國91年成立碩士班，94年成立博士班。本所成立之宗旨及教育目標在於培育符合社會所需的光電科技專業人才，本所發展目標在於實現學界對於國內產業的關懷與參與之願景，並朝向「產業知識化、知識產業化」的發展趨勢與需求邁進。近年來，本校已轉型為綜合研究型大學，依據校務整體發展計畫與本所發展策略規劃之需求，將能提供本所未來發展之參考與願景。

本所研究方向 ：
一、光電材料與元件模組
二、奈米生醫及醫學影像

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    石墨烯層狀結構光學性質之研究
    (2017) 鄧詔允; Teng, Shao-Yun
    此篇論文主要以轉移矩陣法(Transfer Matrix Method, TMM)來模擬石墨烯層狀結構在THz下的光學性質。 在第一個主題中，我們將由TMM來模擬Si和SiO2所形成的光子晶體在THz下不同入射角度的光子能隙的變化。 在第二個主題中，我們將單層的石墨烯參雜在由Si和SiO2所形成的光子晶體的不同位置中，並藉由改變石墨烯的化學勢以及電磁波在TE和TM的不同入射角度，來探導其對光子能隙的變化。 在第三個主題，則是將石墨烯放在每一層的Si和SiO2中，同樣改變石墨烯的化學勢以及電磁波在TE和TM的不同的入射角度，來探導其對光子能隙的變化。在低頻的範圍與出現了第一個主題中的沒有出現的截止頻率，在不同角度的TE波變化趨勢也與前三種結構的變化略有不同。
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    以金為主體光子晶體光子能隙與缺陷模態之研究
    (2017) 劉奕暉; Liou, Yi-Huei
    在這篇論文中，我們將研究三種主題關於Au與兩種介電質薄膜結構的光學特性。在第一個主題中，我們使用轉移矩陣法(TMM)分析〖air/(1/Au/3)〗^N/air。在垂直入射，我們發現在Au厚度增加時光子能隙(PBG)會增寬；固定Au厚度時，我們發現入射角度增加時TE波與TM波的PBG皆會發生偏移，但TE波的PBG則是比TM波寬。第二個主題中，我們使用同樣的方法分析〖air/(1/3)〗^N/Au/〖(3/1)〗^N/air，在金屬γ=0，隨著金屬厚度與入射角度增加時，在PBG上的穿透峰值將會偏移。在垂直入射中，Au厚度增加時穿透峰值將會向右移動；在固定Au厚度中，TE波與TM波皆會隨著角度增加穿透峰值向右偏移，但TE波的偏移量比TM多。第三個主題中，我們也使用同樣的方法分析〖air/Au/(1/3)〗^N/air和air/〖(1/3)〗^N/Au/air。在垂直入射中，我們這兩種結構的PBG並不會受到Au厚度而有偏移或增寬的現象；在固定Au厚度中，此兩結構的TE波會隨著入射角度增加而增寬，TM波則相反。
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    矽上絕緣層矽晶元件應用在光學讀取系統之研究
    (2005) 林俊誠; Chun-Cheng Lin
    本文提出利用矽上絕緣層矽晶元件建立光學讀取系統結合多模干涉型光學能隙波導光分歧器及光子晶體Mach-Zehnder結構。我們利用二維光子晶體週期性結構及線狀缺陷的技術並針對不同的能隙結構來控制光在光子晶體波導中行進的路徑，以便達到縮小積體光學元件之體積。多模干涉型光學能隙波導光分歧器是基於自成像現象設計而成。我們利用自成像現象在矽上絕緣層矽晶脊狀光波導設計多模干涉光分歧器並進一步研究自成像現象在光子晶體傳播情形來設計光學能隙波導光分歧器。此外，我們利用六角形晶格光子晶體的Mach-Zehnder結構來達成干涉現象，並藉此設計光學讀寫系統。