光電工程研究所

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本所於民國91年成立碩士班，94年成立博士班。本所成立之宗旨及教育目標在於培育符合社會所需的光電科技專業人才，本所發展目標在於實現學界對於國內產業的關懷與參與之願景，並朝向「產業知識化、知識產業化」的發展趨勢與需求邁進。近年來，本校已轉型為綜合研究型大學，依據校務整體發展計畫與本所發展策略規劃之需求，將能提供本所未來發展之參考與願景。

本所研究方向 ：
一、光電材料與元件模組
二、奈米生醫及醫學影像

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    相變化薄膜光熱效應奈米微影
    (2009) 薛群達; Shiue Chiun Da
    本論文主旨在於研究不同膜層結構的相變化材料對鹼性溶液之蝕刻特性。利用萊卡光譜儀與表面輪廓儀來量測薄膜蝕刻後之光學與物理性質，並使用波長658nm之紅光雷射泵探系統(靜態測試儀)製作樣品。經過溶液蝕刻後，由原子力顯微儀(Atomic Force Microscope)對記錄點進行掃探所得到的表面形貌資訊，來研究不同膜層結構相變化薄膜之記錄點型態。並可充分且完整的了解相變化材料在光熱作用與濕式蝕刻下之變化。將來可應用於奈米微影技術，用以取代昂貴的半導體製程技術。
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    氧化鋅奈米光碟片的製作與量測研究
    (2007) 羅智鴻; Chih Hung Lo
    在本論文中，首先以光碟測試機量測不同厚度與不同氬氧比例的氧化鋅(ZnOx)近場超解析結構光碟片的載子雜訊比(CNR ,Carrier to Noise Ratio)，在光學的解析極限下，可以量測寫入長度100nm的記錄點，其載子雜訊比可達到27.97 dB。為了更進一步了解氧化鋅奈米膜層結構中光與膜層的交互作用，我們分層去做探討，利用光譜顯微儀與掃描式電子顯微鏡(SEM)與原子力顯微鏡(AFM)來觀察氧化鋅奈米薄膜的變化。也利用靜態測試儀(pump-probe laser system)量測在不同時間下雷射功率在氧化鋅奈米膜層上所造成的影響，並比較獲得的CCD影像與穿透式電子顯微鏡(TEM)圖。
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    雷射光致奈米記錄點於鍺銻碲相變化材料之特性研究
    (2007) 張宏偉; Hong Wei Chang
    本實驗利用雷射光泵探系統(pump and probe laser system)於不同厚度之Ge2Sb2Te5相變化薄膜上寫下記錄點矩陣，欲分析在改變膜層厚度條件下，記錄點之光學反射訊號及表面形貌的改變。實驗中經由以下幾點進行分析：(a)、雷射光探測系統，可藉由光學反射強度進而了解記錄點不同相態(phase state)之改變關係；(b)、透過原子力顯微儀(atomic force microscopy)，可知記錄點表面的形貌(surface topography)起伏與變化，藉此了解雷射光束對相變化材料造成之物理形變為何；(c)、透過導電式原子力顯微儀(conductive-atomic force microscopy)，可知記錄點表面之導電性強弱，藉以分析不同相態之記錄點電性為何；(d)、透過歐傑能譜(Auger electron spectrum)分析，可對樣品表面進行元素成分分析，探討實驗中之表面氧化(surface oxidized)及不連續缺陷區域(defect of surface discontinuity)議題；(e)、透過加熱平台(heating stage)，在加熱下進行原子力顯微儀掃描，可得不同溫度下，寫下記錄點表面變化情形及相變化薄膜電性之改變。
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    先進光碟奈米記錄點之檢測研究
    (2007) 吳寶忠; Benson
    在本論文中，為使商用光碟機雷射讀寫光源達到最佳的讀寫效率以及提高記錄點訊號讀寫的重複性，我們藉由雷射讀寫光源寫入方式的改變 (Radial Orientation Spot, ROS type)，在商用可複寫式光碟片DVD+RW溝軌中，寫下串列的相變化記錄點訊號。並利用導電式原子力顯微儀 (Conductive Atomic Force Microscope, C-AFM) 探測相變化記錄點的技術，探討不同雷射讀寫光源寫入方式對於相變化記錄點形貌改變的影響。 此外，在以氧化鋅 (ZnOx) 作為近場主動層的近場光碟膜層結構中，為得到最佳化的記錄點讀寫訊號，我們藉由氧化鋅近場光碟膜層結構的改變以及C-AFM量測相變化記錄點的技術，分析並探討氧化鋅近場主動層對於相變化記錄層Ge2Sb2Te5的作用，並藉由實驗結果得到膜層結構改變對於記錄點讀寫訊號的影響。