雙羧基紫精對 Co/Cu(100) 薄膜的磁性影響研究
dc.contributor | 蔡志申 | zh_TW |
dc.contributor.author | 周依函 | zh_TW |
dc.date.accessioned | 2019-09-05T02:27:55Z | |
dc.date.available | 2015-08-01 | |
dc.date.available | 2019-09-05T02:27:55Z | |
dc.date.issued | 2012 | |
dc.description.abstract | 本研究利用電鍍的方式成長鈷薄膜於銅(100),並量測其磁性表現,之後加入紫精酸分子於水溶液中,探測其磁性表現,並改變基底電位做一系列磁性表現之研究。首先,以紫精酸加入鹽酸水溶液中,了解紫精酸吸附於基底銅之情形,發現以負電位方向掃描可以使表面上的紫精酸排列較為一致。再者,研究鈷吸附於銅表面上,發現在銅臺階邊緣容易有鈷的吸附,且較難退吸附;而在銅臺階上較少鈷的吸附,且較易退吸附。嘗試以不同電位電鍍鈷薄膜,發現在-1050毫伏電鍍,形成的鈷薄膜較為平整,量測其磁性其矯頑場較小;以-1150毫伏電鍍鈷,形成的鈷薄膜表面起伏較大,薄膜之矯頑場較大。綜合以上條件,以-1050毫伏電鍍鈷薄膜,再將基底電位至-850毫伏、-800毫伏、-750毫伏、-700毫伏量測磁性,發現隨基底電位改變,薄膜之矯頑場變大,證明在這一簡單的單一磁性薄膜系統之磁性表現,可藉由水溶液中電位之改變來調變。接著,以相同的薄膜,將水溶液中加入紫精酸分子,同樣將基底電位設定為-850毫伏、-800毫伏、-750毫伏、-700毫伏量測其磁性表現,發現隨電位改變薄膜之矯頑場會變大。比較相同層數的鈷薄膜,在相同電位下,水溶液中含紫精酸時的矯頑場較小,表示薄膜與水溶液之介面會影響薄膜磁性的表現。 | zh_TW |
dc.description.sponsorship | 物理學系 | zh_TW |
dc.identifier | GN0699410436 | |
dc.identifier.uri | http://etds.lib.ntnu.edu.tw/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=id=%22GN0699410436%22.&%22.id.& | |
dc.identifier.uri | http://rportal.lib.ntnu.edu.tw:80/handle/20.500.12235/102795 | |
dc.language | 中文 | |
dc.subject | 紫精酸 | zh_TW |
dc.subject | 鈷 | zh_TW |
dc.subject | 矯頑場 | zh_TW |
dc.subject | 電位控制磁性表現 | zh_TW |
dc.title | 雙羧基紫精對 Co/Cu(100) 薄膜的磁性影響研究 | zh_TW |
dc.title | Effects of dicarboxylated viologens on the magentic properties of Co/Cu(100) films. | en_US |
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