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Item 奈米孔洞陣列製作技術應用於抗反射層研製(2008-11-08) 黃茂榕; 楊啟榮; 邱源成; 李榮宗矽晶片表面經過粗化處理後可降低晶片表面的反射率，以增加矽質太陽能電池的發電效率。本研究提出結合自組裝奈米球微影(self-assembed nanosphere lithography, SANL)以及光輔助電化學蝕刻 (photo-assisted electrochemical etching, PAECE)兩項技術，在矽晶片表面製作高深寬比的奈米孔洞陣列結構，用於降低矽晶片的反射效率。實驗結果顯示所完成的奈米級孔洞陣列結構，其蝕刻深度約為6.2 μm，直徑約為90 nm，即孔洞的深寬比可達約68:1。在380 nm-890 nm波長範圍內矽晶片的平均反射率為40.2 %。經過SANSL以及5分鐘的PAECE蝕刻後，平均反射效率可降低為1.73 %。本論文所提出的新型製程技術，除具有低成本優勢外，所完成的奈米級孔洞陣列結構更可實際應用於單晶矽太陽能電池之抗反射結構。Item 複合量子點合成之玻璃微反應晶片開發(2006-11-30) 楊啟榮; 程金保; 鍾武雄; 吳俊緯; 彭榆鈞; 謝佑聖Item 類LIGA製程應用於靜電式微馬達光開關之研製(2002-07-31) 楊啟榮本研究採用厚膜光阻製程與微電鑄技術之UV-LIGA製程，製作出低成本之微光開關元件。實驗結果顯示SU-8光阻可為光開關之結構材料，達到簡化製程、降低成本的目的。製作完成的微光開關結構實體之可動結構於釋放後，將針對靜電式致動器的驅動性能予於測試。再者，亦將針對微反射鏡的光學反射品質與光路切換的響應速率作評估分析。Item 合金電鑄技術之研究(2003-12-31) 楊啟榮Item 網印法製作氧化鎢膜應用於電致色變元件之研究(2011-07-31) 程金保; 楊啟榮電致色變係利用外加電場時，使材料產生著/去色變化，進而影響外來光線的穿透作用。此一特性可以被應用在汽車和建築物之玻璃上，以製作節省能源、可調節光線進入及控制熱負荷之智慧型窗戶。然而，目前製程技術通常為濺鍍法或蒸鍍法等，耗時且設備成本較高。本研究擬利用溶膠凝膠法來製備氧化鎢膠體，除了能控制微孔結構，在製備多成分系統也較簡易，並具有低成本的特點。在成膜製程方面，本作品將結合精密網版印刷技術，先在網版上製作出特殊設計之圖案，利用此一網版將氧化鎢膠體在ITO 玻璃上印出圖案之薄膜。此一製程快速、簡單易操作，以及成本低、製程溫度低、不需要真空環境、容易連續製程及在各種材料上大面積塗佈等優點。封裝成電致色變元件後，使節能窗更具備美觀及藝術欣賞之價值。技術重點包括網印漿料之調配、控制網版印刷機台製程之最佳條件、結合電解質封裝成電致色變元件及其性能分析等。未來將此一電致色變元件應用於玻璃窗，能兼顧採光與隔熱的需求，經由適當的設計，可以降低建築物的空調及照明等電力負荷，達成節能之目的。Item 低成本厚膜光阻製程於微機構驅動式光學開關之研製(2003-07-31) 楊啟榮負型SU-8 厚膜光阻利用一般的微影製程，即可製作高深寬比的微結構。目前SU-8光阻主要是應用於LIGA 電鑄製程之模板、熱壓成形之模仁、微光合成形、光波導、微流體應用流道或微機械結構等之材料，然而尚未有直接將SU-8 光阻作為微致動器材料的研究。本計畫目的即是利用SU-8 厚膜光阻微影製程，低成本且快速地開發微光學應用之微反射鏡式光開關元件。全SU-8 厚膜光阻的製程與微結構，其優點為低成本、可降低微反射鏡因組裝所造成的誤差，利用間接驅動方式增加微反射鏡的作動行程，以增進光路切換的適用範圍。製作完成之微反射鏡式光開關，採用靜電式致動器，經局部結構釋放且鍍金屬膜後，成功地以AC 125 伏特電壓驅動；微反射鏡對光波長632 nm 之可光源與光波長1550 nm 之紅外光源皆有反射效能， 其反射效率分別為17.6% 及20.5% 。Item 微機電 SIGA 製程應用於液晶顯示器之配向模仁技術開發(2005-11-25) 楊啟榮; 鄭信鴻; 洪瑞鴻Item 微機電製程技術於光開關製作之應用(財團法人國家實驗研究院儀器科技研究中心, 2003-04-01) 楊啟榮; 陳柏穎; 趙俊傑由於 21 世紀網際網路服務的超快速成長與多媒體化，人類已進入多媒體視訊圖像為主的寬頻傳輸時代，使得數據傳輸量的需求與日俱增，如何有效率地倍增網路傳輸容量已成為重要課題。透過微機電製程技術已實現將光開關微小化、積體化及陣列化的目標，並達到降低成本的批次量產能力。本文首先針對各種不同微光開關特性及應用加以比較，接著說明微機電製程於光開關製作之應用實例，最後再指出光開關適用性之基本評估要點。Item 奈米級結構陣列製作技術應用於高效能電池元件之研製(2008-10-24) 楊啟榮本計劃提出結合自組裝奈米球微影(self-assembednanospherelithography,SANL)以及光輔助電化學蝕刻(photo-assistedelectrochemicaletching,PAECE)兩項技術，在矽晶片表面製作高深寬比的奈米孔洞陣列結構，並用於降低矽晶片的反射效率。實驗結果顯示SANSL能於矽晶片上定義出完整排列的陣列圖形。所完成的奈米級孔洞陣列結構，其蝕刻深度約為6.2μm，直徑約為90nm，即孔洞的深寬比可達約68:1。調變蝕刻電壓可以使奈米級孔洞陣列，轉變成奈米柱狀陣列結構，而當使用2V的蝕刻電壓時，能夠產生高度1μm，直徑為100nm，深寬比為10:1的奈米柱狀陣列。矽晶片表面經過粗化(texture)處理後可降低晶片表面的反射率，以增加矽質太陽能電池的發電效率。在200nm-890nm波長範圍內矽晶片的平均加權反射率為40.2%。未經過SANSL而只經過5分鐘的PAECE蝕刻後，加權平均反射效率降低為5.16%；然而，經過SANSL以及5分鐘的PAECE蝕刻後，加權平均反射效率可降低為1.73%。此外，當奈米級孔洞陣列結構表面再鍍上200Å的siliconnitride後，加權平均反射率可更進一步降低為0.878%。本論文所提出的新型製程技術，除具有低成本優勢外，所完成的奈米級孔洞陣列結構更可實際應用於單晶矽太陽能電池之抗反射結構。Item 精密電鑄應用於微圖化耐高溫彩色濾光片製程開發(2006-11-24) 楊啟榮; 江政忠; 張峻銘; 彭榆鈞; 林宏展