Browsing by Author "沈柏均"

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    28 GHz 向量合成式相移器與低雜訊放大器設計
    (2020) 沈柏均; Shen, Po-Chun
    隨著第五代行動通訊(5th Generation Mobile Networks, 5G)帶動高速通訊的發展，資料傳輸需要更寬的頻寬來滿足大量傳輸需求，傳輸頻段必須往更高頻段移動，因此高頻訊號先天路徑損耗較大的問題變成必須克服的難題，本論文主要研究毫米波相位陣列系統之接收端電路設計，利用波束成形(Beamforming)技術來解決高頻傳輸路徑損耗過大問題。 第一顆電路介紹28GHz向量合成式相移器，電路採用0.18-μm 1P6M CMOS process實現，正交相位產生器使用正交耦合器和Marchand Balun組成。直流功率消耗為15.31 mW。整體晶片面積0.925 mm × 0.560 mm，操作頻率為26GHz至32GHz。在28GHz頻率上，插入損耗在9.8dB到19.5dB之間、RMS相位誤差為8.3°、RMS振幅誤差為3.8 dB。量測結果相位誤差較不理想，推測是耦合器與balun之間阻抗不連續造成。 第二顆電路介紹28GHz向量合成式相移器，旨在修正前一顆電路之正交相位產生器相位失準，在耦合器與balun之間加入匹配電感，使其阻抗連續。直流功率消耗為15.31 mW。整體晶片面積為0.925 mm × 0.555 mm，操作頻率為26GHz至32GHz。在28GHz頻率上，插入損耗在10.8dB到11.3dB之間，輸入反射係數為 -21.3 dB、輸出反射係數為 -8.4 dB、均方根相位誤差為0.64°、均方根振幅誤差為0.12 dB。 第三顆電路將介紹28GHz低雜訊放大器，為兩級串接疊接組態，本設計考量疊接組態增益以及雜訊指數，利用匹配電感使疊接組態之雜訊指數降低增益提高，並使用源極退化電感，以同時達到雜訊匹配以及共軛匹配。使用0.18-μm 1P6M CMOS process實現，供應電壓為2.4V，消耗功率為10.58 mW。整體晶片面積為0.650mm × 0.585 mm，量測結果增益在26.3 GHz 時有最大值15.7 dB，雜訊指數在28.5 GHz 的時候有最小值5.98 dB。線性度之量測結果，在量測頻率為27 GHz 時OP1dB為-1.9 dBm，在頻率28 GHz 時OP1dB為-1.7 dBm。