Browsing by Author "Wu, Ching-Lin"

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Energy replacement using glucose does not increase postprandial lipemia after moderate intensity exercise
(2014) Chiu, Chih-Hui; Burns, Stephen; Yang, Tsung-Jen; Chang, Yi-Hsin; Chen, Yi-Liang; Chang, Cheng-Kang; Wu, Ching-Lin
圖形設計作業創造力指標的發展與分析：行為及神經科學取向
(2023) 陳姵臻; Chen, Pei-Zhen
設計流暢性（design fluency）或非語文流暢性（non-verbal fluency）是個體流暢地產出不重複的圖形設計能力，是執行功能的一種表現，同時也是擴散性思考的指標之一。然而，擴散性思考不只有流暢性，還有變通性與獨創性。過往的圖形設計作業並沒有這兩個指標。本研究旨在發展並分析圖形設計作業的創造力指標。預備研究開發標準數位化「圖形設計作業（Figural Design Test, FDT）」。該測驗共三個情境：流暢情境、抑制情境、轉換情境。計算情境間正確設計數可得流暢（流暢情境的正確設計數）、抑制（在抑制情境下所能產出的正確設計比例，以流暢情境作為基準值）、轉換（在轉換情境下所能產出的正確設計比例，以流暢、抑制情境作為基準值）等指標。298位參與者被施測FDT以考驗信度，結果顯示具有良好的內部一致性信度。其中取樣118位參與者並完成效度工具（類別流暢性、轉換西蒙測驗），結果顯示流暢指標與語文流暢性表現有顯著正相關；抑制指標、轉換指標各別與轉換西蒙作業之抑制指標、轉換指標有顯著正相關。上述結果證明FDT能有效測量設計流暢、抑制、轉換等指標。研究一旨在發展圖形設計作業的設計變通性（設計方式的類別變化）、設計獨創性（少有的設計反應）指標。302位參與者完成了FDT。創造力指標是基於參與者在情境一的反應所發展。情境一有200張符合規則的圖形。本研究整合旋轉與鏡像等特徵的相似圖形，最終可畫出21種圖形。在設計變通性中，將21種圖形依外型分成八種類別，並檢驗設計變通性八成分模式。結果顯示，具有良好的整體適配度，但內在結構品質不佳，可能受圖形出現頻率影響。設計變通性指標的得分為所有正確設計涵蓋的類別數。分數範圍介於0～8分。在設計獨創性中，依參與者的每個正確設計在200張設計常模的出現頻率給分（小於2%得2分、2～5%得1分、大於5%得0分），再加總成設計獨創性總分，分數範圍介於0～198分。研究一發展了圖形設計作業的設計變通性與設計獨創性指標，能客觀且量化的評估設計變通性與設計獨創性。研究二旨在分析圖形設計作業創造力指標與典型創造力作業的相關性。135位參與者完成了FDT以及語文版與圖形版的擴散性思考測驗與遠距聯想測驗，共五個測驗。結果顯示設計流暢性與圖形擴散性思考的流暢性有正相關；設計變通性與語文及圖形擴散性思考的變通性有正相關；設計獨創性與圖形版擴散性思考的獨創性有正相關。此外，設計流暢性與語文版及圖形版遠距聯想測驗皆有正相關。上述結果顯示設計流暢性、設計變通性、設計獨創性之間具有區辨效度。支持設計變通性、設計獨創性指標的有效性。研究三以圖形理論分析大腦白質網路之結構，並檢驗拓樸屬性指標與FDT五個指標（設計流暢性、設計變通性、設計獨創性、抑制、轉換）的相關。72位參與者完成了FDT並完成擴散性張量影像的掃描。結果顯示設計流暢性、設計獨創性與群聚係數、小世界屬性、全局效率、局部效率呈顯著正相關，與特徵路徑長度呈顯著負相關；而轉換指標與群聚係數、小世界屬性、全局效率呈顯著負相關。在節點效率中，設計流暢性與雙側額中迴、右側額下迴的節點效率有正相關，設計變通性與右側額下迴的節點效率有正相關，設計獨創性與左側額內迴、右側顳中迴、左側顳上迴、雙側中央前迴，且設計流暢性與設計獨創性共享雙側額上迴、右側顳上迴的大腦節點。抑制指標和轉換指標與大腦節點效率之間並無顯著相關性。上述結果以生理證據支持設計流暢性、設計變通性、設計獨創性的有效性。本研究之貢獻：在研究工具上，發展電腦化施測、自動化計分的圖形設計作夜，並擴充其他創造力指標，可視為有正確解答的擴散性思考測驗；同時能評估創造力與執行功能的重要指標。在理論層面上，指出設計流暢性可能是創意思考的基礎，而設計變通性和設計獨創性則與更高層次思考歷程有相關。整體而言，本研究結果對於創造力的理論探究與評估應用皆有所貢獻。
應用於負電壓電路之高耐壓靜電放電防護設計
(2024) 吳青霖; Wu, Ching-Lin
隨著製程日益進步，電晶體的閘極氧化層相較過往更加脆弱，靜電放電測試對電路的可靠度評估已成為重要指標。而在一些高壓電路應用中，必須更加慎重考慮靜電放電對電路的影響。閘極氧化層隨著製程越來越薄，供應電壓也會隨之降低，故使用低壓元件來達到高耐壓特性成為一大挑戰。此外，相較於一般只使用正電壓供應的電路，一些如植入式生醫電路、發電廠自動裝置等，通常會配置正、負電壓源。先前許多論文使用低壓元件來達到可承受高電壓的箝位電路，並已證實其有效性，但幾乎僅針對正電壓下的防護設計，對於負電壓下的箝位電路研究非常稀少。並且在負電壓工作下，共接地的p型基底會有超乎預期的寄生路徑，因此在設計電路時必須多加考量，以避免電路的不當操作。第二章提出了應用在負電壓下之高耐壓靜電放電箝位電路，所有電路均在TSMC 0.18-μm 1.8V/3.3V CMOS製程下實現。為了解決上述寄生路徑的問題，整個箝位電路除了在最高電位使用pMOS外，其餘部分使用nMOS，並利用深層n型井隔開共接地p型基底與nMOS的p型井，且深層n型井接至最高電位(0V)。此外，由於低壓元件的閘極氧化層較薄，故設計電路時每個電晶體的任兩端跨壓最高只能承受1×VDD，如此可解決閘極氧化層可靠度的問題。第三章對提出的電路做各種量測，包含分析其耐受度以及長時間可靠度在室溫以及嚴苛環境下的變化，來驗證提出的電路能有效的保護內部電路。第四章總結所述，本論文提出了高耐壓靜電放電箝位電路，並針對面積以及導通效率進行最佳化，分別提出了兩種不同的電路。經量測驗證，提出的箝位電路在不影響電路正常工作下，能有效解決電路在負電壓電源線間的靜電放電問題。
遠距聯想在創造力形成歷程之運作機制
(2015) 吳清麟; Wu, Ching-Lin
　　遠距聯想為個體生產創造力的重要元素。Mednick依其連結理論發展遠距聯想測驗以評估此能力，然而過往以此為工具的認知神經科學研究偏重於個體解答時所引發的頓悟經驗，卻未能區辨正確答案之產出係來自遠距聯想或近距聯想，致使目前研究成果未能知悉個體透過遠距聯想產生創意之大腦運作機制。據此，本研究編製符合連結理論之遠距以及近距聯想測驗，分別由功能性與結構性腦影像觀點探究遠距聯想及近距聯想之大腦運作機制。實驗一先透過比較參與者在兩種試題各項行為指標之差異以確認自編工具的效度，結果顯示個體解答遠距聯想試題比近距聯想試題需要更長的時間、其答對率亦較低。實驗二採用功能性磁振造影（fMRI）分別比較參與者在兩組試題正確解題與否的大腦活動，以解析個體藉由遠距聯想與近距聯想產出答案的大腦機制，並進一步透過比較上述兩組的差異以剖析遠距聯想的核心成份。結果發現，遠距聯想產出答案與雙側海馬旁回（PHG）、右側頂下葉（IPL）、雙側顳中回（MTG）、左側顳上回（STG）的活化有關；由近距聯想產生答案則在左側額中回（MFG）、右側額上回（SFG）有較高的激發。，負責語義記憶提取與監控工作記憶的左側顳上回（STG）與右側顳中回（MTG）則與遠距聯想核心成份有密切連結。實驗三改由結構性腦影像觀點，以圖形理論分析擴散張量影像，在控制性別、年齡、智力後，結果指出遠距聯想表現與腦網路全局效率有顯著正相關、與標準化的局部效率及小世界屬性為負相關，並在左側偏中顳中回（MTG）與梭狀回（FG）、右側頂下葉（IPL）、腦島（insula）、中間扣帶（median cingulate）、角回（AG）、距狀裂（calcarine fissure）及頂上回（SPG）等區域與其節點連結效率具顯著正相關；近距聯想表現則與全局效率顯著負相關。整體而言，本研究為國內首次同時由功能性與結構性腦影像觀點探討遠距聯想在創造力生成歷程之大腦運作機制，研究結果提供全面性的創造力生理基礎之實徵證據。