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矽量子點光檢測器之研究
(2008) 廖庭維; Ting-Wei Liao
在本篇論文中，提供一種具多重奈米量子點檢測光子之光電子元件，藉由“重複堆疊結構”形成矽量子點與穿透接面，做為光檢測器之檢測構件，進而製作出矽量子點光檢測器。在光檢測之實驗中，將針對奈米級光檢測器元件結構做光電效應特性之量測，利用不同波長之光源照射至矽量子點，藉由矽量子點扮演光轉換為電之主要角色，量測結果顯示，此元件吸收光源進而產生光電流之轉換效率非常高，具有高敏感與非常靈敏之光切換特性，並且元件本身之雜訊與暗電流特性都非常低。另外，經過長時間之光檢測實驗測量之後，其光電效應之特性也不會改變。元件在不同波長(300 nm ~ 1000 nm)之光源照射下，所得量子效率與光響應度非常高。因此，針對量測結果，進一步分析元件中光子與電子間主要之交互作用，即探討半導體矽量子點光檢測器之主要工作原理與其影響。