學位論文

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    整合全無機鈣鈦礦電阻式記憶體與光激發電池於光電積體電路之應用
    (2019) 許峯陽; Syu, Fong-Yang
    本文研究常溫合成全無機鈣鈦礦CsPbBr3之鈣鈦礦光學材料特性與半導體記憶特性，用於發光與記憶體元件之應用。利用無機鈣鈦礦具有優良半導體的特性，我們以無機鈣鈦礦CsPbBr3製程薄膜元件，有發光與記憶之元件的效果。我們利用常溫合成無機鈣鈦礦的特性，並以X光繞射儀(XRD)、光激發螢光光譜(PL)、電子顯微鏡(SEM)用以鑑定材料之特性，最後製程多層結構鈣鈦礦元件。藉由微光顯影以提升元件特性，製作出匹配光激發電池(LEC)與可變電阻式記憶體(RRAM)的結合。通過觀察的I-V曲線，元件表現出設定電壓為5 V，復位電壓為-5 V，由此了解RRAM可以通過減緩缺陷累積來促進元件耐久性的優化。此外元件上的LEC在設定電壓為5 V發光，因此元件再同時間兼具RRAM與LEC的特性。
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    無機鈣鈦礦電阻式記憶發光二極體光電整合元件之製作與研究
    (2018) 李懿泓; Li, Yi-Hong
    本文的研究主體：全無機CsPbX3(X = Br，I，Cl )之鈣鈦礦材料於發光二極體之發光層與元件結構之應用。針對無機鈣鈦礦薄膜材料的製程並使其發光。除此之外，使用常溫法合成無機鈣鈦礦，並縮短其製成時間。採用X光繞射儀(XRD)、電子顯微鏡(SEM)、光激發螢光光譜(PL)鑑定鈣鈦礦材料特性，進一步應用至本文多層鈣鈦礦發光元件的結構。 藉由調控鈣鈦礦陰離子的比例，發出不同波長的光，使用Ocean Optics USB4000光譜儀量測樣品電致發光光的波段，並設計鈣鈦礦電化學發光元件(LEC)與電阻式記憶體(RRAM)的結合。
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    室溫合成無機鈣鈦礦CsPbBr3應用於電阻式記憶體之特性研究
    (2018) 陳暐豪; Chen, Wei-Hao
    無機鈣鈦礦CsPbBr3是一種半導體材料，不僅具有優異的半導體材料特性，還具有良好的離子導電性、良好的光吸收率與成本低等優點，這些特性使得這類材料在電阻式記憶體RRAM相當具有潛力。 本論文使用室溫反溶劑合成的方法來合成無機鈣鈦礦，並使用旋轉塗佈的方法應用於RRAM上Metal/Insulator/Metal三明治結構中的絕緣層，其中會透過有修復缺陷的鈣鈦礦薄膜與無修復缺陷的鈣鈦礦薄膜的電性量測進行比較，由電性量測結果發現無修復的鈣鈦礦薄膜，Set電壓約0.6V，Reset電壓約-1.9V；經過修復的鈣鈦礦薄膜為Set電壓約0.8V，Reset電壓約-2.6V，Set、Reset電壓都有增加的現象，但電壓電流特性曲線較為穩定。此外，將未修復的Ag/SiO2/CsPbBr3/SiO2/ITO樣品照射UV光，並測量低阻態與高組態時的電流變化，結果發現照射UV光時會產生光電流，造成低組態與高組態時的電流都會提升。
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    光激發鈣鈦礦奈米晶體垂直共振腔面射型雷射之研究特性
    (2017) 蕭博學; Siao, Bo-Syue
    在本論文研究中，我們主要探討布拉格反射鏡與鈣鈦礦之應用，我們利用布拉格反射鏡高反射原理，此反射鏡對於355nm處的光反射率極低，我們在反射鏡中加入發光材料鈣鈦礦，發光波長約落在515nm，作為反射鏡之共振腔，使用355nm脈衝雷射激發使其生成雷射，藉由增強脈衝雷射強度，觀察其modes PL強度及半峰全寬(FWHM)變化。另外我們也比較在鈣鈦礦加入反射鏡中時有無進行轉塗布的差異。我們發有使用旋轉塗佈將鈣鈦礦加入在布拉格反射鏡中比起未使旋轉塗佈機，且其modes PL強度有減弱及modes數量也比未使旋轉塗佈機來的少。實驗結果證明了將鈣鈦礦加在於布拉格反射鏡中做為cavity，經脈衝雷射激發的確能有效而生成雷射。