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38GHz 鏡像抑制混頻器與可變增益放大器設計
(2020) 童義倫; Tung, Yi-Lun
隨著毫米波頻段的發展，在相位陣列(Phase Array)架構的射頻收發器系統中，混頻器與可變增益放大器為相當重要的元件。由於互補式金氧半導體製程(CMOS)具有低成本以及高整合度的優勢，所以被廣泛地運用於毫米波的電路設計上。因此本論文將使用 TSMC 65nm CMOS 製程，設計實現 38 GHz 鏡像抑制混頻器與可變增益放大器。本論文第一顆電路為鏡像抑制降頻器，採用I/Q 訊號調變的方式消除鏡像訊號，並透過耦合器在寬頻下做到兩正交訊號振幅與相位匹配，來達到寬頻的鏡像拒斥比。此外在 IF 端加上緩衝放大器來提升整體轉換增益。當LO的驅動功率為 3 dBm時，在 34 GHz 至 43 GHz時的鏡像拒斥比皆小於- 30 dBc，轉換增益為 -6±1 dB，功耗約為9.72 mW，晶片佈局面積為780 μm × 760 μm。第二顆電路為 38 GHz可變增益放大器，透過數位控制技術來調整可變增益範圍，採用一級的電流控制架構(Current Steering)來實現。透過在電流控制架構加上Body Bias，此架構能讓可變增益放大器在低偏壓的操作下，提供足夠的可調增益範圍。當供應電壓 Vdd 為 1.2 V時，於 38 GHz 有最高增益 14.96dB，可變增益範圍則是在 6.68 dB ~ 14.96dB，約有 8.28 dB，整體功率消耗約為 33 mW，晶片佈局面積為 400 μm × 800 μm。