學位論文

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Author: search.filters.author.Huang, Guo-LunSubject: search.filters.subject.靜電放電

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    極低寄生電容之靜電放電防護設計
    (2018) 黃國倫; Huang, Guo-Lun
    本篇論文研究主軸為極低寄生電容之全晶片靜電放電防護設計，採用0.18-μm之CMOS以及SiGe BiCMOS製程，並實際搭配所設計的靜電放電防護元件應用至不同頻段的低雜訊放大器。 在CMOS製程設計堆疊式二極體內嵌入式矽控整流器，該元件有小的佈局面積、低寄生電容、以及高耐受度。將堆疊式二極體內嵌入式矽控整流器應用至操作在24-GHz的低雜訊放大器，並驗證全晶片靜電放電防護設計。使用BiCMOS製程設計垂直式NPN元件，降低元件的觸發電壓，並將垂直式NPN元件加在2.4-GHz低雜訊放大器上模擬電路特性。