學位論文
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Item 應用於5G行動通訊之28GHz與38GHz相移器設計(2019) 林于惠; Lin, Yu-Hui本論文實現兩顆應用於Ka頻段的五位元相移器設計，第一顆相移器採用標準0.18-μm 1P6M互補式金屬氧化物半導體製程來實現，整體晶片面積(包含PAD)為0.94 mm × 0.57 mm，操作頻率在27 GHz至29 GHz，180°相移器使用相位可反向衰減器(PIVA)架構，90°相移器使用反射式相移器(RTPS)架構，剩餘位元皆為開關式相移器(STPS)架構。整體輸入反射係數小於 -14.13 dB、輸出反射係數小於 -5.35 dB，中心頻28GHz時，RMS振幅誤差為0.15 dB、RMS相位誤差為3.77°、直流功率消耗為0 mW。 第二顆相移器採用標準65-nm 1P9M互補式金屬氧化物半導體製程來實現，整體晶片面積(包含PAD)為0.67 mm × 0.49 mm，操作頻率為36 GHz至40 GHz，架構與第一顆同，180°相移器使用相位可反向衰減器架構，90°相移器使用反射式相移器架構，剩餘位元皆為開關式相移器架構。整體輸入反射係數小於 -13.03 dB、輸出反射係數小於 -8.09 dB，中心頻38GHz時，RMS振幅誤差為0.82 dB、RMS相位誤差為0.83°、直流功率消耗為0 mW。