學位論文
Permanent URI for this collectionhttp://rportal.lib.ntnu.edu.tw/handle/20.500.12235/73890
Browse
1 results
Search Results
Item 應用於毫米波相位陣列系統之相移器設計(2019) 蕭璿; Hsiao, Hsuan近年來隨著物聯網(Internet of Things, IOT)與第五代行動通訊(5th Generation Mobile Networks, 5G)帶動高速通訊的發展，資料傳輸需要更寬的頻寬來滿足大量傳輸需求，傳輸頻段必須往更高頻段移動，因此高頻訊號先天路徑損耗較大的問題變成必須克服的難題，本論文主要研究毫米波相位陣列系統之相移器設計，利用波束成形(Beamforming)技術來解決高頻傳輸路徑損耗過大問題。 第三章介紹ka頻帶五位元開關式相移器，電路採用電路採用標準0.18-μm 1P6M互補式金屬氧化物半導體製程(Standard 0.18-μm 1P6M CMOS process)實現，其中四個位元採用T橋式相移器架構，另一位元採用高低通網路架構。電路功率消耗為0mW，整體晶片面積為0.84 mm2，操作頻率為26GHz至31GHz，輸入反射係數小於-7.1dB、輸出反射係數小於-5.2dB、RMS相位誤差小於5.37°、RMS振幅誤差小於0.85dB。 第四章為了改善第三章相移頻寬，將90°相移器採用反射式架構，180°相移器採用相位可反相衰減器，其餘位元皆採用T橋式相移器架構。操作頻率為26至31GHz，電路功率消耗為0 mW，整體晶片面積0.64 mm2，輸入反射係數小於-13.4dB，輸出反射係數小於-5.5dB，RMS相位誤差小於3.07°，RMS振幅誤差小於1.06dB。 第五章介紹ka頻帶五位元開關式相移器，電路採用標準65-nm 1P9M互補式金屬氧化物半導體製程(Standard 65-nm 1P9M CMOS process)實現，為了降低相移器之間的負載效應，將180°相移器採用兩個90°T橋式相移器組成，使得五位元相移器皆採用T橋式相移器架構。電路功率消耗為0 mW，整體晶片面積為0.39mm2，操作頻率為36GHz至40GHz，輸入反射係數小於-8.8dB、輸出反射係數小於-8.2 dB、RMS相位誤差小於7.3°、RMS振幅誤差小於1.8 dB。 第六章介紹ka頻帶向量合成式相移器，相移解析度為5Bit，控制電路電壓解析度為6Bit，電路採用標準65-nm 1P9M互補式金屬氧化物半導體製程(Standard 65-nm 1P9M CMOS process)實現，電路功率消耗為6.6mW，整體晶片面積為0.37mm2，操作頻率為36GHz至40GHz，輸入反射係數小於-19.6dB，輸出反射係數小於-5.5dB，RMS振福誤差小於0.17dB，RMS相位誤差小於1.67°。