學位論文

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    K頻帶互補式金氧半功率放大器設計
    (2015) 劉家凱; Liu, Chia-Kai
    第一個電路為變壓器功率結合技術之K頻帶功率放大器,採用半圈變壓器 (Half-turn Transformer)實現功率結合與阻抗轉換以達到節省面積,量測結果在23.5 GHz時,增益為12 dB,飽和輸出功率(P_sat)為22.5 dBm,1dB增益壓縮輸出功率(OP_1dB)為18.1 dBm,最高功率輔助效率(PAE)為21.8%,晶片佈局面積為0.29 mm^2。 第二個電路為變壓器電流結合技術之K頻帶功率放大器,延續第一個設計之功率放大器,運用變壓器電流結合技術(Current Combining Transformer)來提升輸出功率,將功率放大單元直接並聯在進行匹配,而為了要提高增益,採用兩級功率放大器進行設計,量測結果在23 GHz時,增益為19.5 dB,飽和輸出功率(P_sat)為24.9 dBm,1 dB增益壓縮輸出功率(OP_1dB)為20.6 dBm,最高功率輔助效率(PAE)為17.0%,晶片佈局面積為0.97 mm^2。