光電工程研究所

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本所於民國91年成立碩士班，94年成立博士班。本所成立之宗旨及教育目標在於培育符合社會所需的光電科技專業人才，本所發展目標在於實現學界對於國內產業的關懷與參與之願景，並朝向「產業知識化、知識產業化」的發展趨勢與需求邁進。近年來，本校已轉型為綜合研究型大學，依據校務整體發展計畫與本所發展策略規劃之需求，將能提供本所未來發展之參考與願景。

本所研究方向 ：
一、光電材料與元件模組
二、奈米生醫及醫學影像

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    相變化薄膜光熱效應奈米微影
    (2009) 薛群達; Shiue Chiun Da
    本論文主旨在於研究不同膜層結構的相變化材料對鹼性溶液之蝕刻特性。利用萊卡光譜儀與表面輪廓儀來量測薄膜蝕刻後之光學與物理性質，並使用波長658nm之紅光雷射泵探系統(靜態測試儀)製作樣品。經過溶液蝕刻後，由原子力顯微儀(Atomic Force Microscope)對記錄點進行掃探所得到的表面形貌資訊，來研究不同膜層結構相變化薄膜之記錄點型態。並可充分且完整的了解相變化材料在光熱作用與濕式蝕刻下之變化。將來可應用於奈米微影技術，用以取代昂貴的半導體製程技術。
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    奈米記錄點的動態寫入與量測研究
    (2008) 陳億昇; Yi Sheng Chen
    在本論文中，使用動態測試儀 (Dynamic Optical Disk Tester) 量測以ZnS-SiO2包夾初鍍態Ge2Sb2Te5相變化材料光碟之載子訊雜比 (Carrier-to-Noise Ratio，CNR)，可以量測到光學解析極限以下記錄點之載子訊雜比。研究為何無光學非線性作用層之碟片仍可解析光學解析極限以下記錄點，使用動態測試儀在平坦碟片上寫下光學解析極限以下尺寸之記錄點，再以原子力顯微儀 (Atomic Force Microscope，AFM ) 掃描其表面形貌發現寫下一週期性結構，其週期為記錄點兩倍。使用動態測試儀讀取記錄點時，是讀取光強度隨時間變化的連續過程，所以當動態測試儀讀取此週期性結構時便可量測到對應之載子訊雜比，同時我們也研究此週期性結構之形成原因。