光電工程研究所

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本所於民國91年成立碩士班，94年成立博士班。本所成立之宗旨及教育目標在於培育符合社會所需的光電科技專業人才，本所發展目標在於實現學界對於國內產業的關懷與參與之願景，並朝向「產業知識化、知識產業化」的發展趨勢與需求邁進。近年來，本校已轉型為綜合研究型大學，依據校務整體發展計畫與本所發展策略規劃之需求，將能提供本所未來發展之參考與願景。

本所研究方向 ：
一、光電材料與元件模組
二、奈米生醫及醫學影像

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2007 - 20082

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    奈米記錄點的動態寫入與量測研究
    (2008) 陳億昇; Yi Sheng Chen
    在本論文中，使用動態測試儀 (Dynamic Optical Disk Tester) 量測以ZnS-SiO2包夾初鍍態Ge2Sb2Te5相變化材料光碟之載子訊雜比 (Carrier-to-Noise Ratio，CNR)，可以量測到光學解析極限以下記錄點之載子訊雜比。研究為何無光學非線性作用層之碟片仍可解析光學解析極限以下記錄點，使用動態測試儀在平坦碟片上寫下光學解析極限以下尺寸之記錄點，再以原子力顯微儀 (Atomic Force Microscope，AFM ) 掃描其表面形貌發現寫下一週期性結構，其週期為記錄點兩倍。使用動態測試儀讀取記錄點時，是讀取光強度隨時間變化的連續過程，所以當動態測試儀讀取此週期性結構時便可量測到對應之載子訊雜比，同時我們也研究此週期性結構之形成原因。
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    氧化鋅奈米光碟片的製作與量測研究
    (2007) 羅智鴻; Chih Hung Lo
    在本論文中，首先以光碟測試機量測不同厚度與不同氬氧比例的氧化鋅(ZnOx)近場超解析結構光碟片的載子雜訊比(CNR ,Carrier to Noise Ratio)，在光學的解析極限下，可以量測寫入長度100nm的記錄點，其載子雜訊比可達到27.97 dB。為了更進一步了解氧化鋅奈米膜層結構中光與膜層的交互作用，我們分層去做探討，利用光譜顯微儀與掃描式電子顯微鏡(SEM)與原子力顯微鏡(AFM)來觀察氧化鋅奈米薄膜的變化。也利用靜態測試儀(pump-probe laser system)量測在不同時間下雷射功率在氧化鋅奈米膜層上所造成的影響，並比較獲得的CCD影像與穿透式電子顯微鏡(TEM)圖。