學位論文
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Item X頻帶接收器前端電路與E頻帶低雜訊放大器設計與實現(2014) 張瑞安; Ruei-An Chang本論文主要針對X頻帶衛星通訊與E頻帶無線通訊之訊射頻前端電路的設計與實現，包含低雜訊放大器與混頻器，晶片製作透過國家晶片中心提供的標準TSMC CMOS 90 nm與180 nm製程，內容分為三個部分，第一個部分為介紹X頻帶與E頻帶的研究背景，第二部分為所有電路設計、模擬與量測，第三部分為結論。 本論文將介紹三個電路，依序為X頻帶低雜訊放大器、E頻帶低雜訊放大器、X頻帶混頻器，分別在第二章、第三章與第四章。第二章實現了X頻帶低雜訊放大器，使用兩級共源極組態串接的方式，並採用變壓器匹配的方式能在低功率消耗、低雜訊與小面積下維持不錯的增益表現，量測在11 GHz下有小訊號增益13.4 dB，雜訊指數3.41 dB。在供應電壓1.0 V下整體功率消耗為4.8mW。晶片面積為0.44 〖mm〗^2。 第三章實現了E頻帶低雜訊放大器，採用三級串接組態的架構，第一級為共源極組態，第二級與第三級都是採用疊接組態，並且延續前一章節所使用的變壓器匹配方式減少晶片使用的面積，量測結果最大訊號增益在67 GHz有21 dB，雜訊指數在67.5 GHz為8.8 dB，在共源極組態與疊接組態供應電壓分別為1.2 V與2.4 V下的整體功率消耗為15.84 mW。晶片面積為0.338 〖mm〗^2。 第四章實現了X頻帶環形混頻器，採用弱反轉區的偏壓方式，混頻器可以操作在低LO功率以及低直流功率消耗，並在輸出IF端使用轉阻緩衝放大器提供足夠的轉換增益，量測轉換增益為0.5 ± 1.5 dB在9 ~ 15 GHz。LO驅動功率為-12 ~ -5 dBm，整體供應電壓為1.0 V，功率消耗為2 mW。晶片面積為0.295 〖mm〗^2。